PMOS
 | Цю статтю потрібно повністю переписати відповідно до стандартів якості Вікіпедії. (березень 2019) |
 | Ця стаття не містить посилань на джерела. (січень 2016) |
pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років.
|
Це незавершена стаття з технології. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |