Transistore unigiunzione
| Transistore unigiunzione | |
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| Tipo | Attivo |
| Inventato da | General Electric Company (1953) |
| Simbolo elettrico | |
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| Configurazione pin | B2, B1 ed emettitore |
| Vedi: componente elettronico | |
Un transistore unigiunzione (in inglese Uni-junction transistor o UJT) è un dispositivo elettronico a semiconduttore.
Tipologie
[modifica | modifica wikitesto]Ce ne sono di due tipi:
- Il transistore unigiunzione originale, o UJT, che è un semplice dispositivo composto essenzialmente da una barretta di semiconduttore di tipo N in cui è stato diffusa una certa quantità di materiale di tipo P. Il 2N2646 è un esempio di tale dispositivo.
- Il transistore unigiunzione programmabile, o PUT, che è un dispositivo che ricorda il tiristore. Come il tiristore consiste di quattro strati P e N alternati e possiede un anodo ed un catodo connessi al primo e all'ultimo strato, ed un gate connesso ad uno degli strati interni. Questi dispositivi non sono direttamente interscambiabili con gli UJT convenzionali ma assolvono ad una funzione simile. Il 2N6027 è un esempio di tale dispositivo.
Entrambe le tipologie di dispositivo trovano applicazione come trigger per i tiristori e come dispositivi attivi negli oscillatori a rilassamento. La caratteristica della tensione di emettitore rispetto alla corrente di emettitore mostra una area a resistenza differenziale negativa; questo è ciò che rende interessanti e utilizzabili tali circuiti. Il transistore unigiunzione presenta un'unica giunzione e da qui deriva il nome transistor 'UNI'giunzione. Un dispositivo UJT presenta tre terminali. Tali terminali sono un emettitore (E) e due basi (B1 e B2). La base è realizzata da una sezione di silicio poco drogata di tipo n. Due contatti ohmici B1 e B2 sono collegati alle sue estremità. L'emettitore è di tipo p ed è drogato fortemente. La resistenza presente tra B1 e B2 quando l'emettitore è aperto è chiamata resistenza di interbase.
Funzionamento
[modifica | modifica wikitesto]Normalmente il dispositivo viene utilizzato collegando ogni base all'alimentazione tramite un resistore, B2 al positivo e B1 al negativo. In questo modo nella resistenza interbase circola una corrente che produce una caduta di tensione distribuita lungo il semiconduttore. Attraverso l'emettitore non è possibile iniettare corrente fintanto che la tensione applicata non superi quella indotta dalla corrente interbase (che dipende dalla tensione di alimentazione Vs attraverso un fattore di partizione chiamato ). Quando questo accade la resistenza tra emettitore e B1 si abbassa bruscamente. Si ha così sulle due basi un impulso, positivo per B1 e negativo per B2, ed un forte incremento della corrente di emettitore. Per costruire un oscillatore a rilassamento si procede quindi collegando all'emettitore una rete RC con resistore al positivo e condensatore verso massa. Mentre il condensatore si carica la corrente è molto bassa, ma quando l'unigiunzione commuta, il condensatore si scarica attraverso l'emettitore e viene generato l'impulso d'uscita. A questo punto il ciclo riprende.
Voci correlate
[modifica | modifica wikitesto]- Dispositivi a semiconduttore
- Transistor a giunzione bipolare
- Giunzione p-n
- Diodo
- Equazione del diodo ideale di Shockley
- Modello ibrido del transistor
- Amplificatore
- Effetto Early
- Mosfet
- Valvola termoionica
- Transistor ad effetto di campo a giunzione
- Transistor bipolare a gate isolato
Altri progetti
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Collegamenti esterni
[modifica | modifica wikitesto]- UJT, in Dizionario delle scienze fisiche, Istituto dell'Enciclopedia Italiana, 1996.
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