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格芯

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格芯
GlobalFoundries Inc.
公司类型上市公司
股票代号
ISINKYG393871085
成立2009年3月2日
代表人物Thomas Caulfield(CEO)
总部 美国纽约马耳他 (纽约州)
产业半导体晶圆厂
产品晶圆
营业额44亿美元(2014年)[1][2]
息税前利润−59,812,000 美元 (2021年) 编辑维基数据
净利润−253,931,000 美元 (2021年) 编辑维基数据
资产15,027,602,000 美元 (2021年) 编辑维基数据
资产净值8,033,132,000 美元 (2021年) 编辑维基数据
所有权者穆巴达拉石油公司 编辑维基数据
员工人数18,000 [3]
网站gf.com
德国总厂

格芯(又译格罗方德;英语:GlobalFoundries Inc.,简称GFGloFo)是一家总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉半导体晶圆代工公司。该公司最初从超微半导体的制造部门独立而出,目前为世界第五大专业晶圆代工厂,仅次于台积电三星电子中芯国际联电[4]

2021年10月28日,公司在纳斯达克上市。[5]

历史

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格芯成立于2009年3月2日,是从美国AMD公司制造部门分拆出。母公司分别为AMD及阿布扎比主权财富基金阿布扎比创投英语Mubadala Investment Company旗下的先进技术投资公司(Advanced Technology Investment Company;简称ATIC)[6],其中ATIC占公司股权65.8%,两公司均享有均等投票权。

2010年1月13日,格芯(GLOBALFOUNDRIES)收购新加坡特许半导体[6]

2011年3月6日,ATIC以4.25亿美元收购AMD拥有的格芯半导体股份余下的8.8%的股份,成为一家独立的芯片制造商,使得ATIC成为格芯的唯一持股者[7]

2013年,位于美国纽约州的八厂投入运营。AMD对该厂拥有14%的股份。[8][9]

2014年10月20日,IBM正式宣布邀请格芯收购其芯片制造业务。[6][10]

2016年5月31日,宣布将与重庆官方合资设立12吋晶圆厂,由重庆市官方提供土地与中国中航航空电子系统的厂房,而格芯则负责技术升级,将现有的8吋晶圆厂升级为12吋晶圆[11]

2017年2月10日,宣布在中国四川省成都高新区建造12吋晶圆生产项目,投资规模预计超过100亿美元,将成为中国西南部首条12吋晶圆生产线。[12]

2017年8月15日,宣布采用高效能 14 纳米 FinFET 制程技术的 FX-14 特定应用集成电路(ASIC)整合设计系统,进入先进晶圆封装的领域。[13]

2018年8月28日,宣布将无限期暂停7纳米制程研发,将人力物力转至14与12纳米制程研发上。[14]

2018年10月取消占地1000多亩的180nm/130nm项目投资后,格芯于2020年5月,发布通告,成都工厂遣散员工并停工停业。[15]

2019年1月31日,以2.36亿美元的价格将新加坡的Fab 3E 8英寸晶圆厂卖给世界先进

2019年4月23日,以4.3亿美元的价格将美国纽约州的12吋Fab 10晶圆厂卖给安森美半导体

2019年5月22日,以7.4亿美元的价格将旗下ASIC子公司Avera Semiconductor卖给marvell

2019年8月14日,将光罩业务卖给日本凸版公司

2019年10月1日,台积电对美国、德国和新加坡的GlobalFoundries提起专利侵权诉讼。台积电(TSMC)声称GlobalFoundries的12 nm、14 nm、22 nm、28 nm和40 nm节点侵犯了其25项专利。台积电和GlobalFoundries于2019年10月29日宣布了争端解决方案。两家公司同意为其所有现有半导体专利以及将在未来十年内申请的新专利授予新的专利寿命交叉许可。[16]

2020年5月,格芯发布通告,成都工厂遣散员工并停工停业。[16]

2021年10月4日,全球半导体设计商和制造商 GlobalFoundries 周一向美国证券交易委员会提交了IPO申请,希望通过首次公开募股筹集至多 10 亿美元(占位符,我们预计可能募集20亿美金)。 GlobalFoundries计划在纳斯达克上市,代码为 GFS。 GlobalFoundries 于 2021 年 8 月 9 日秘密提交了申请。 Morgan Stanley、 BofA Securities、J.P. Morgan、Citi、Credit Suisse、 Deutsche Bank、 HSBC、 and Jefferies是该交易的联合账簿管理人。[16]

制造厂区

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公司除会生产AMD产品外,也有其他公司,如IBM安谋国际科技(ARM)、博通(Broadcom)、英伟达(NVIDIA)、高通(Qualcomm)、意法半导体(STMicroelectronics)、德州仪器(TI)等晶圆代工制造业务的合作。现时投产中的晶圆厂,12吋的位于德国德累斯顿的一厂(Fab 1,即原AMD的Fab 36和Fab 38),位于美国纽约州中马耳他(Malta)的八厂(Fab 8)和East Fishkill的十厂(Fab10)(原为IBM的Building 323),以及位于新加坡的七厂(Fab 7)。八吋厂的二厂三厂五厂(Fab 2、3、5)位于新加坡,九厂(Fab9)位于美国佛蒙特州埃塞克斯章克申英语Essex Junction

300毫米(12吋)晶圆工厂

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  • Fab 1:位于德国德累斯顿,占地364,512平方米,是由原AMD最早的晶圆厂Fab 36和Fab 38合并而来,格芯成立以后这里就改名为Fab 1 - Module 1,后来也将就近的原AMD Fab 30也合并至Fab 1 - Module 2厂区,每个厂区300毫米晶圆的产能可达每月可产出25,000块以上。[9][17]Module 1 厂区主要以40纳米、28纳米BULK制程工艺和22纳米FDSOI制程工艺为主;Module 2 厂区原本以制造200毫米晶圆为主,后来也转为制造300毫米晶圆,以45纳米及更老的制程为主。2016年9月格芯宣布Fab 1 的12纳米FDSOI制程工艺已经流片成功。[18]预计2019年上半年可接收订单进行量产。
  • Fab 7:位于新加坡兀兰,收购新加坡的特许半导体英语Chartered Semiconductor而来。本厂以130纳米至40纳米制程、BULK和SOI工艺为主,每月的晶圆产能可达50,000块/300毫米晶圆(或112,500块/200毫米晶圆)。[9]
  • Fab 8:位于美国纽约马耳他萨拉托加的卢瑟森林科技园区英语Luther Forest Technology Campus,自2009年6月开始兴建,2012年投入生产,是格芯自AMD分离以后兴建的厂区里面最大也是最新进的,主要制造300毫米晶圆,以14纳米制程节点、FinFET工艺为主。[9][19]每月的晶圆产量可达60,000块/300毫米晶圆(或135,000块/200毫米晶圆),以28纳米制程和14纳米制程为主,其中14纳米制程的技术是与三星电子旗下的晶圆厂合作。2016年9月,格芯宣布为该厂投入数十亿美元开发 7 纳米制程,采用FinFET、极紫光刻工艺,并预计2018年下半年可投产。[20][21]
  • Fab 10:位于美国纽约东菲什基尔[22],前IBM的Building 323,由收购IBM微电子事业部而来,以22纳米节点工艺为主。2019年4月,安森美半导体宣布收购Fab 10。
  • Fab 11:位于中国大陆四川成都,目前已停产停工。[15]原本预计2018年可投入生产,产能预计每月20,000块,远期计划达到85,000块/月。[23] 目前,因为市场不如预期, 已经停工停产;被员工爆料晶圆厂内根本没有设备。并未引进 FD-SOI的 22nm制程,只能做 40 nm制程;目前这座 12吋厂只有进行到第一期工程结束,厂内都是使用从新加坡厂转移过来的技术跟设备,该新加坡厂是2010年收购的特许半导体旗下的晶圆厂,留下的都是一些老旧、甚至已经淘汰的二手设备。受制于这些设备与技术,这座12吋厂实务上只能作到 40 nm的制程,而且产线人员也才刚送到新加坡进行培训结束——该晶圆厂根本尚未开始、也无法进行量产;第二期工程产量为每月88,000块(2019年,FDSOI), 有业务团队, 等客户群够 ,就会将机台move in;FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On Insulator)制程与主流的 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)制程都是半导体产业中可量产的晶体管技术,其中 FinFET元件主要用于高性能元件,像是 GPU和 CPU,例如台积电的主流制程均采用 FinFET;而 FD-SOI 相对优势为低功耗、低制程成本与易于整合。

200毫米(8吋)晶圆工厂

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除了Fab 9,其余的均为收购特许半导体而来。

  • Fab 2:位于新加坡兀兰。本厂以600至350纳米制程为主,代工产品以汽车电子IC、大功率高电压IC以及类比-数位混合信号IC为主。
  • Fab 3E:位于新加坡淡滨尼。本厂主要制造180纳米制程的晶圆,代工产品以汽车电子IC、高电压电源管理IC和带有非易失性记忆体的嵌入式混合信号IC为主,2019年出售给世界先进。

参考

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  1. ^ Worldwide Semiconductor Foundry Market Grew 16.1 Percent in 2014, According to Final Results by Gartner. [6 August 2015]. (原始内容存档于2015-04-16). 
  2. ^ TSMC, GlobalFoundries and Samsung Lead Chip Foundry Rankings in 2012 - X-bit labs. [6 August 2015]. (原始内容存档于2015-09-15). 
  3. ^ GLOBALFOUNDRIES Fast Facts. [6 August 2015]. (原始内容存档于2015-08-12). 
  4. ^ 存档副本. [2024-05-27]. (原始内容存档于2024-09-01). 
  5. ^ Chipmaker GlobalFoundries prices IPO at upper end to raise $2.6 bln | Reuters. Reuters. [2023-03-22]. (原始内容存档于2023-02-26). 
  6. ^ 6.0 6.1 6.2 [1]页面存档备份,存于互联网档案馆),2014-10-21
  7. ^ ATIC buys AMD's remaining share in GLOBALFOUNDRIES. [2012-12-12]. (原始内容存档于2020-09-28). 
  8. ^ [2]页面存档备份,存于互联网档案馆),2013-12-17
  9. ^ 9.0 9.1 9.2 9.3 Manufacturing. [6 August 2015]. (原始内容存档于2016-06-05). 
  10. ^ [3]页面存档备份,存于互联网档案馆),亚洲华尔街日报华尔街日报,2014-10-20
  11. ^ 半導體大廠競插旗中國 格羅方德與重慶合資12吋廠. 中时电子报. 2016-06-01. (原始内容存档于2020-08-09). 
  12. ^ 格羅方德 成都打造晶圓廠. 中时电子报. 2017-02-11. (原始内容存档于2020-08-09). 
  13. ^ 繼台積電之後,格羅方德宣布成功進入先進晶圓封裝領域. TechNews. 2017-08-15. (原始内容存档于2020-08-10). 
  14. ^ 〈晶圓先進製程競賽〉格羅方德退出7奈米 台積電股價大漲創近5月新高. 钜亨网News. 2018-08-28. (原始内容存档于2020-08-06). 
  15. ^ 15.0 15.1 成都工厂正式停工停业
  16. ^ 16.0 16.1 16.2 世界第三大专业晶圆代工厂:格芯GlobalFoundries Inc.. 美股之家. 2021-06-04 [2021-10-05]. (原始内容存档于2021-10-22). 
  17. ^ http://globalfoundries.com/about_us/locations/dresden. [6 August 2015]. (原始内容存档于2016-06-05).  缺少或|title=为空 (帮助)
  18. ^ Kampman, Jeff. GlobalFoundries adds a 12-nm node to its FD-SOI roadmap. TechReport. 8 September 2016 [16 September 2016]. (原始内容存档于2021-02-25). 
  19. ^ GlobalFoundries Saratoga County, New York, USA 互联网档案馆存档,存档日期10 March 2009.
  20. ^ Shilov, Anton. GlobalFoundaries Updates Roadmap. Anandtech. 3 October 2016 [3 October 2016]. (原始内容存档于2021-01-13). 
  21. ^ Kampman, Jeff. GlobalFoundries skips the 10-nm node on the way to 7-nm FinFETs. TechReport. 15 September 2016 [16 September 2016]. (原始内容存档于2021-03-02). 
  22. ^ 22.0 22.1 Jim Doyle. [6 August 2015]. (原始内容存档于2016-01-27). 
  23. ^ (新闻稿) 17 May 2020 https://m.sohu.com/a/395690005 17 May 2020 请检查|url=值 (帮助).  缺少或|title=为空 (帮助)[失效链接]

外部链接

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