Лашкарьов Вадим Євгенович

|Батько= |Посада= |Діти= |Дружина= |Мати=

Вадим Євгенович Лашкарьов
Народився	7 жовтня 1903(1903-10-07) Київ
Помер	1 грудня 1974(1974-12-01) (71 рік) Київ
Поховання	Байкове кладовище
Країна	Російська імперія  СРСР
Діяльність	фізик
Alma mater	Київський інститут народної освіти
Галузь	фізика
Заклад	КНУ імені Тараса Шевченка Інститут фізики НАН України Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України
Науковий ступінь	доктор фізико-математичних наук
Аспіранти, докторанти	Стріха Віталій Іларіонович
Членство	НАНУ
Нагороди
Лашкарьов Вадим Євгенович у Вікісховищі

Вадим Євгенович Лашкарьов (7 жовтня 1903, Київ — 1 грудня 1974, Київ) — український науковець, першовідкривач фізичних ефектів, які були покладені в основу напівпровідникових технологій і мікроелектроніки, академік Академії наук УРСР (з 12 лютого 1945 року)^[1][2].

Народився 7 жовтня 1903 року у Києві. В 1924 році закінчив Київський інститут народної освіти. У 1924—1927 роках — аспірант, викладач Київської науково-дослідницької кафедри фізики. Від 1928 року працював у Ленінградському фізико-технічному інституті, з 1930 року очолював там відділ рентгенівської та електронної оптики, а з 1933 року — лабораторію дифракції електронів. Цього ж року опублікував монографію «Дифракция электронов». За результатами отриманих ним досліджень в 1935 році йому без захисту дисертації присудили вчений ступінь доктора фізико-математичних наук.

У лютому 1935 року був заарештований за «участие в к/р группе мистического толка», а в липні цього ж року засуджений на 5 років заслання до Архангельська (реабілітований 15 липня 1957 року). В 1935—1939 роках — працював завідувачем кафедри Архангельського медичного інституту. Від 1939 року — завідувач відділом напівпровідників Інституту фізики АН УРСР.

У 1941 році експериментально відкрив p-n перехід у закисі міді. Того ж року Лашкарьов опублікував результати своїх відкриттів у статтях «Дослідження замикаючих шарів методом термозонда» і «Вплив домішок на вентильний фотоефект у закису міді» (в співавторстві зі своєю колегою К. М. Косоноговою). У роки радянсько-німецької війни разом з Інститутом фізики АН УРСР був евакуйований до Уфи.

Перебуваючи у Сибіру під час війни, Лашкарьов розробив купроксні діоди для армійських радіостанцій і домігся їх промислового випуску на заводі в Уфі. Після відвоювання Києва разом з інститутом повернувся в Україну. В 1944—1952 роках водночас з роботою в інституті завідував кафедрою фізики, а в 1952—1956 роках — новоствореною кафедрою фізики напівпровідників Київського університету.

Досліджував біполярну дифузію нерівноважних носіїв струму. Заклав основи вчення про електрорушійні сили в напівпровідниках. Від 1956 року був головним редактором заснованого цього ж року «Українського фізичного журналу». Від 1960 року працював в Інституті напівпровідників АН УРСР (з 1960 року — завідувач відділом; в 1960—1970 роках — директор). Спільно з В. Ляшенко провів піонерські дослідження поверхневих явищ у напівпровідниках. Створив наукову школу. Помер 1 грудня 1974 року у Києві. Похований на Байковому кладовищі (ділянка № 6)^{[3][4][5][6][7]}.

Лауреат Державної премії УРСР (1981, посмертно).^[8]

2002 року його ім'я присвоєно Інституту фізики напівпровідників НАН України.

• Перший діод на p-n переході

• Ю. О. Храмов. Лашкарьов Вадим Євгенович [Архівовано 21 серпня 2016 у Wayback Machine.] // Енциклопедія історії України : у 10 т. / редкол.: В. А. Смолій (голова) та ін. ; Інститут історії України НАН України. — К. : Наукова думка, 2009. — Т. 6 : Ла — Мі. — С. 56. — ISBN 978-966-00-1028-1.
• В. М. Томашик. Лашкарьов Вадим Євгенович [Архівовано 21 серпня 2016 у Wayback Machine.] // Енциклопедія сучасної України / ред. кол.: І. М. Дзюба [та ін.] ; НАН України, НТШ. — К. : Інститут енциклопедичних досліджень НАН України, 2001­–2024. — ISBN 966-02-2074-X.
• Храмов Ю. А. История формирования и развития физических школ на Украине. К., 1991.