Eldar Salayev

Eldar Salayev
Şəxsi məlumatlar
Doğum tarixi	31 dekabr 1933(1933-12-31)
Doğum yeri	Naxçıvan, Naxçıvan MSSR, Azərbaycan SSR, ZSFSR, SSRİ
Vəfat tarixi	20 iyun 2022(2022-06-20) (89 yaşında)
Partiya	Azərbaycan Milli İstiqlal Partiyası, Azərbaycan Demokratik İstiqlal Partiyası
Təhsili	Bakı Dövlət Universiteti
Fəaliyyəti	fizik
Elmi fəaliyyəti
Elm sahəsi	fizika
Elmi dərəcəsi	fizika-riyaziyyat elmləri doktoru
Təltifləri

Eldar Yunis oğlu Salayev (31 dekabr 1933, Naxçıvan – 20 iyun 2022) — Azərbaycan alimi, fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, akademik, 1983–1997-ci illərdə Azərbaycan EA-nın prezidenti, Azərbaycan SSR Dövlət mükafatı laureatı (1972).^[1]

Eldar Salayev 1933-cü ildə dekabrın 31-də Naxçıvan şəhərində dünyaya gəlmişdir. 1970–1973-cü illərdə Azərbaycan EA Fizika İnstitutunda elmi işlər üzrə direktor müavini. 1972-ci ildə Azərbaycan Dövlət mükafatı laureatı adını, 1975-ci ildə fizika-riyaziyyat elmləri doktoru alimlik dərəcəsini almışdır. 1979-cu ildən professordur. 1980-ci ildə EA-nın müxbir üzvü, 1983-cü ildə isə həqiqi üzvü seçilib. 1983–1997-ci illərdə Azərbaycan EA-nın Prezidenti seçilmişdir. Akademik S.İ.Vavilov adına, H.Z.Tağıyev adına, N.Nərimanov adına mükafatların laureatıdır. İslam Akademiyasının üzvüdür.^[2]

20 iyun 2022-ci ildə vəfat etmişdir^[3].

Eldar Salayev bərk cisim fizikası, kvant elektronikası və fotoelektronika sahəsində görkəmli^{[mənbə göstərin]} alimdir. Əsas işləri yarımkeçiricilərin tədqiqinə müxtəlif halların enerji spekterlərinin öyrənilməsinə aiddir. Salayev sürətli elektronlar dəstəsi vasitəsilə ilk dəfə^{[mənbə göstərin]} laylı kristallarda induksiyalanmış şüalanmanı aşkara çıxarmış və bu sinif yarımkeçiricilərdə qeyri-xətti optik xassələri öyrənmişdir. Həmin tədqiqatlar lazer şüaları çevricilərinin yaranmasına imkan vermişdir. Salayevin rəhbərliyi ilə yarımkeçiricilər əsasında deflektor, deşifrator, fotoqəbuledicilər, elektron mikrosoyuducuları, metroloji tətdqiqatlar üçün qurğular yaradılmışdır. Yüksəkixtisaslı kadrların hazırlanmasında xidməti vardır.

Laylı kristallarda və darzolaqlı yarımkeçiricilərdə aldığı yeni fundamental nəticələr çox geniş və xüsusi tətbiq oblastlarına malik, spektrin ultrabənövşəyi görünən və 30 mkm-dək infraqırmızı oblastlarında işləyən fotoqəbuledicilərin, elektron optik çeviricilərin yaradılmasına nail olmuşdur. Rəhbərliyi altında 1973-cü ildə Bakıda xüsusi təyinatlı fotoqəbuledicilər, elektron-optik çeviricilər, elektron mikrosoyuducuları, bu ceviricilərin metrologiyası üçün cihazlar layihələşdirən və tədqiq edən, onların tam istehsalını, sınağını və sənaye miqyasında tətbiqini həyata keçirə bilən keçmiş ittifaqda yeganə Fotoelektronika İnstitutu yaradılmış və qısa müddətdə dünya standartları səviyyəsində yeni fotoqəbuledicilər, gecə görmək üçün elektro-optik çeviricilər, mənfi 120–130 °C-dək soyutma verən elektron mikrosoyuducular, metrologiya və ölçmə texnikası sahəsində cihazların müxtəlif təyinatlı növləri işlənilmiş və institutun təcrübə zavodunda tam istehsalı təşkil edilmişdir. Yaradılmış yeni cihazlar keçmiş İttifaqın müxtəlif zavodlarında seriya ilə istehsalata tətbiq olunmuşdur. İnstitutda buraxılan material, cihaz və qurğuların hamısı institutun öz layihələri olmuş, dövlət sifarişi ilə yerinə yetirilmiş və əksər hallarda xüsusi ekstremal şəraitdə işləmək üçün nəzərdə tutulmuşdur. Bu cihazlar Kurçatov adına Atom enerji institutunda termo nüvə sintez zamanı yüksək temperaturlu plazmaya nəzarət qurğusu, lazer nişanlanma sistemi, yerin təbii sərvətlərini tədqiq edən "Kosmos", "Resurs-01", "Resurs-09" kosmik aparatları, Mars planeti və onun Fobos peykini tədqiq edən "Fobos" avtomatik stansiyası, müxtəlif markalı və təyinatlı pilotsuz sistemlər, 1984-cü ildə birinci dəfə Moskva şəhəri və vilayətinin istilik xəritəsini çəkən uçan aparat, müxtəlif raket, təyyarə və yerüstü döyüş maşınlarında və s. müvəffəqiyyətlə istifadə olunmuşdur. İnstitutun texnologiyası və iştirakı ilə ilk dəfə olaraq kosmik aparatda çəkisizlik şəraitində müxtəlif yarımkeçiricilərin kristalları göyərdilmişdir.

İlk dəfə olaraq güclü qeyri-xətti laylı GaSe kristallarında aşağıdakı hadisələr müəyyən olunmuşdur: İndusiyalanmış şüalanma, yaxın IQ oblastda faza sinxronizmi şəraitində ikinci optik harmonikanın generasiyası, IQ diapazonunda impuls və kəsilməz lazer şüalarının spektrin görünən oblastına çevrilə bilməsi, elektron-deşik eksiton cütünün elektron-deşik mayesinə kondensə olunması. Laylı və dar keçirici zonalı yarımkeçiricilərdə fiziki təqdimatların istiqaməti inkişaf etdirilmiş, IQ qəbuledicilərin və mənbələrin yaradılması üçün yeni texnoloji proseslər işlənmişdir. Mülki və xüsusi təyinatlı müxtəlif növ optoelektron qurğular işlənmiş, yaradılmış və onların istehsalı təşkil olunmuşdur.

1. Avropa Elmlər Akademiyasının akademiki
2. Beynəlxalq İslam Elmlər Akademiyasının akademiki
3. A.M.Proxorov adına Mühəndis Elmlər Akademiyasının akademiki
4. "Orion" EİB-nın Fəxri doktoru

E.Salayev 420 elmi əsərin və 88 ixtiranın və patentin, 4 monoqrafiyanın müəllifidir.

1. The induced ratiation in Gase. Dokl. AN SSSR, T.161, № 5, 1965.
2. Gase-a new effektive material for non-linear optic, Pisma v JETF, v. 16, № 3, 1972.
3. The defjrmation phenomena in cristals, UFN, t.155, № 1. 1988.
4. Quantum oscillations under lazer pulses aktion in the e-Gase laycrcd crystal. v. JETF, v. 51, № 3, 1990.
5. Phase-matched second harmonic generation at 789,5 HM in a Gase cristal. Appl.Phys.Lett., v. 69(6), 1996.
6. Effective Nonlinear GaSe Crystal.Optical Properties and Applications. Lazer Physics, 19, № 5, pp. 1092–1104, 2009.

Azərbaycan Milli İstiqlal Partiyasının və ardınca Azərbaycan Demokratik İstiqlal Partiyası üzvü olmuşdur. Eldar Salayev bir müddət Azərbaycan Demokrat Partiyası üzvü olmuş və 2005-ci il oktyabrın 29-da dövlət çevrilişinə cəhddə və kütləvi iğtişaşlar törətməkdə iştirakda ittiham edilərək həbs olunub. Az sonra - noyabrın 16-da akademik barəsində seçilən həbs qətimkan tədbiri dəyişdirilmişdi.^[4]

• Azərbaycan SSR Dövlət mükafatı — 1972
• "Qırmızı əmək bayrağı" ordeni
• "Şöhrət" ordeni — 31 yanvar 1997^[5].