Перегляд вихідного коду сторінки Мікросхема

У Вас нема дозволу на редагування цієї сторінки з такої причини:

Ваша IP-адреса знаходиться в діапазоні, який заблоковано у всіх вікі Фонду Вікімедіа.

Блокування зроблено ‪EPIC‬. Причиною вказано Open proxy/Webhost: See the help page if you are affected.

Початок блокування: 08:48, 2 липня 2024
Закінчення блокування: 08:48, 2 липня 2025

Ваша поточна IP-адреса: 206.189.44.186. Заблокований діапазон — 206.189.32.0/20.

Будь ласка, додайте всі вказані подробиці до будь-яких запитів, які Ви будете робити. Якщо ви вважаєте, що вас заблокували помилково, ви можете знайти додаткову інформацію та інструкції в глобальній політиці Без відкритих проксі.

В іншому випадку, щоб обговорити блокування, будь ласка, опублікуйте запит на розгляд на Мета-вікі. Ви також можете надіслати електронний лист до VRT-черги стюардів за адресою stewards@wikimedia.org, вказавши усю вищезазначену інформацію.

Ви можете переглянути та скопіювати вихідний текст цієї сторінки:

[[Файл:Microchips.jpg|right|thumb|200px|Мікросхема ([[EPROM]]) з прозорим віконцем, через яке видно кристал напівпровідника]]
[[Файл:Intel Pentium Processor (backside) with heat sink.jpg|thumb|Мікропроцесор Intel Pentium з тепловідводом]]
'''Мікросхе́ма''' (''інтегральна мікросхема, інтегральна схема(ІС), чип, мікрочип,'' {{lang-en|integrated circuit}})&nbsp;— [[напівпровідник]]овий [[електронний пристрій]], який являє собою набір [[Електронна схема|електронних схем]] на одній суцільній пластині («підкладці») з напівпровідникового матеріалу, зазвичай [[Кремній|кремнію]]<ref>{{cite web|publisher=Українське агентство зі стандартизації|title=Національний банк стандартизованих науково-технічних термінів|url=http://ukrndnc.org.ua/index.php?option=com_terminus&Itemid=194&task=view&id=39246|quote=КОНТАКТНА ПЛОЩИНКА ІНТЕГРОВАНОЇ МІКРОСХЕМИ &nbsp;— металізована ділянка на підшарку, кристалі або корпусі інтегрованої мікросхеми, яка служить для приєднання виводів компонентів та кристалів, перемичок, а також для контролю електричних параметрів та режимів мікросхеми.|url-status=dead}}</ref>. Часто під інтегральною схемою розуміють власне [[Кристал (інтегральна схема)|кристал]] або плівку з електронною схемою, а під мікросхемою&nbsp;— інтегральну схему в корпусі. Принцип створення інтегральних мікросхем було розроблено [[1958]] року американськими винахідниками [[Джек Кілбі|Джеком Кілбі]] та [[Роберт Нойс|Робертом Нойсом]].

Велика кількість крихітних [[транзистор]]ів, виготовлених за МОН-технологією (метал-оксид-напівпровідник) інтегрується в невелику мікросхему, це призводить до того, що електронні пристрої є на порядки менші, швидші та дешевші, ніж ті, що складаються з дискретних (окремих) компонентів. Масове виробництво інтегральних схем, їх можливості, надійність забезпечили їх швидке впровадження та високу популярність&nbsp;— на сьогодні мікросхеми використовуються практично в усьому електронному обладнанні та зробили революцію у світі електроніки. [[Комп'ютер]]и, [[Мобільний телефон|мобільні телефони]] та інша побутова техніка з електронними пристроями є визначальною ознакою сучасної цивілізації.

У [[1961]] році фірма [[Fairchild Semiconductor]] Corporation випустила інтегральні схеми у вільний продаж, і їх відразу стали використовувати у виробництві [[калькулятор]]ів і [[комп'ютер]]ів замість окремих [[транзистор]]ів, що дозволило значно зменшити їхній розмір, та збільшити продуктивність. З того часу розмір, швидкість і ємність чипів надзвичайно зросли завдяки технічним досягненням, які дозволяють створювати все більше і більше МОП-транзисторів на мікросхемах однакового розміру&nbsp;— сучасна мікросхема може мати багато мільярдів МОП-транзисторів на області розміром з людський ніготь. Завдяки цим досягненням сучасні комп'ютерні мікросхеми мають у мільйони разів більший обсяг [[Комп'ютерна пам'ять|пам'яті]] та у тисячі разів більшу [[Обчислювальна потужність комп'ютера|швидкодію]], ніж комп'ютерні мікросхеми початку 1970-х років ([[закон Мура]]).

Інтегральні мікросхеми мають дві основні переваги перед електронними пристроями, виконаними з дискретних елементів&nbsp;— вартість і продуктивність. Вартість низька, оскільки мікросхеми з усіма їхніми компонентами виготовляються («друкуються») за допомогою [[Фотолітографія|фотолітографії]], а не складаються з окремих транзисторів. Крім того, мікросхеми використовують набагато менше матеріалів, ніж дискретні схеми. Продуктивність висока, оскільки компоненти мікросхеми швидко перемикаються та споживають порівняно мало [[Електрична енергія|електроенергії]] через невеликий розмір і близьке розташування. Основним недоліком інтегральних мікросхем є висока вартість їх проектування та виготовлення необхідних фотошаблонів. Така висока початкова вартість означає, що вони є комерційно вигідними лише при достатньо великих обсягах виробництва.

Перша [[Союз Радянських Соціалістичних Республік|радянська]] напівпровідникова мікросхема була створена у [[1961]] році, в {{нп|Таганрозький радіотехнічний інститут|Таганрозькому радіотехнічному інституті|de|Staatliche Fernmeldetechnische Universität Taganrog}}, в лабораторії Л.&nbsp;Н.&nbsp;Колесова.

== Історія ==
{{Main|Винайдення інтегральної схеми}}
Винахід мікросхем розпочався з вивчення властивостей тонких [[оксид]]них плівок, що проявляються в ефекті поганої електропровідності при невеликій [[Електрична напруга|електричній напрузі]]. Проблема полягала в тому, що в місці зіткнення двох [[метал]]ів не відбувалося електричного контакту або він мав полярні властивості. Глибокі вивчення цього феномену привели до винаходу [[діод]]ів, а пізніше до транзисторів і інтегральних мікросхем.

У [[1958]] році двоє учених, що жили в абсолютно різних місцях, винайшли практично ідентичну модель інтегральної схеми. Один з них, Джек Кілбі, працював на [[Texas Instruments]], інший, Роберт Нойс, був одним із засновників невеликої компанії по виробництву напівпровідників [[Fairchild Semiconductor]]. Обох об'єднало питання: «Як в мінімум місця вмістити максимум компонентів?». [[Транзистор]]и, [[резистор]]и, [[конденсатор]]и та інші деталі у той час розміщувалися на платах окремо, і вчені вирішили спробувати їх об'єднати на одному монолітному кристалі з напівпровідникового матеріалу. Тільки Кілбі скористався [[Германій|германієм]], а Нойс віддав перевагу [[Кремній|кремнію]]. У 1959 році вони окремо один від одного отримали патенти на свої винаходи&nbsp;— почалося протистояння двох компаній, яке закінчилося мирним договором і створенням спільної ліцензії на виробництво чипів. Після того, як в 1961 році Fairchild Semiconductor Corporation пустила інтегральні схеми у вільний продаж, їх відразу стали використовувати у виробництві калькуляторів і комп'ютерів замість окремих транзисторів, що дозволило значно зменшити розмір і збільшити продуктивність.

Перша в СРСР напівпровідникова інтегральна мікросхема була розроблена (створена) на основі [[планарна технологія|планарної технології]], розробленої на початку 1960 року в НДІ-35 (потім перейменований в НДІ «Пульсар») колективом, який надалі був переведений в НДІМЕ (Мікрон). Створення першої радянської кремнієвої інтегральної схеми було сконцентроване на розробці і виробництві з метою використання у військовій техніці серії інтегральних кремнієвих схем МС-100 (37 елементів&nbsp;— еквівалент складності схемотехніки тригера, аналога американських ІС серії SN51 фірми [[Texas Instruments]]). Зразки-прототипи і виробничі зразки кремнієвих інтегральних схем для відтворення були отримані зі США. Роботи проводилися НДІ-35 (директор Трутко) і Фрязінським заводом (директор Колмогоров) за оборонним замовленням для використання в автономному висотомірі системи наведення [[Балістична ракета|балістичної ракети]]. Розробка містила шість типових інтегральних кремнієвих планарних схем серії МС-100 і з організацією дослідного виробництва зайняла в НДІ-35 три роки (з 1962 по 1965 рік). Ще два роки пішло на освоєння заводського виробництва з військовим прийманням у [[Фрязіно]] (1967 рік).

== Рівні проєктування ==
* Логічний&nbsp;— логічна схема (логічні інвертори, елементи АБО-НЕ, І-НЕ тощо).
* Схемо- і системотехнічний рівень&nbsp;— схемо- і системотехнічна схеми (тригери, компаратори, шифратори, дешифратори, АЛП тощо).
* Електричний&nbsp;— принципова електрична схема (транзистори, конденсатори, резистори тощо).
* Фізичний&nbsp;— методи реалізації одного транзистора (чи невеликої групи) у вигляді легованих зон на кристалі.
* Топологічний&nbsp;— схеми трасування друкованих плат та топологічні фотошаблони для виробництва.
* Програмний рівень&nbsp;— дозволяє програмістові програмувати (для мікроконтролерів і мікропроцесорів) модель, що розробляється, використовуючи віртуальну схему.

Нині велика частина інтегральних схем проєктується за допомогою спеціалізованих [[Система автоматизованого проєктування і розрахунку|САПР]], які дозволяють автоматизувати і значно прискорити виробничі процеси. [[Програми проєктування електронних систем]], наприклад, дозволяють створювати креслення принципових схем, обирати найкраще розміщення електронних компонентів (для досягнення найменшої довжини струмопровідних доріжок, балансування сигнальних ліній тощо), генерувати файли фотошаблонів та інструкцій для виготовлення схем на верстатах з [[ЧПК]].

== Технології виготовлення ==

=== Елементна база ===
Основним елементом аналогових мікросхем є [[транзистор]]и (біполярні або польові). Різниця в технології виготовлення транзисторів істотно впливає на характеристики мікросхем. Тому нерідко в описі мікросхеми вказують технологію виготовлення, щоб підкреслити тим самим загальну характеристику властивостей і можливостей мікросхеми. У сучасних технологіях об'єднують технології біполярних і польових транзисторів, щоб добитися поліпшення характеристик мікросхем.

За технологією виготовлення транзисторів мікросхеми поділяються:
* мікросхеми на уніполярних (польових) транзисторах&nbsp;— найекономніші (по споживанню струму);
* мікросхеми на біполярних транзисторах.

=== Технологічний процес ===
При виготовленні мікросхем використовується метод [[фотолітографія|фотолітографії]] (проєкційної, контактної та ін.), при цьому схему формують на [[Підкладка (електроніка)|підкладці]] (зазвичай з кремнію), отриманій шляхом різання алмазними дисками монокристалів кремнію на тонкі пластини. Зважаючи на крихітність лінійних розмірів елементів мікросхем, від використання видимого світла, і навіть ближнього ультрафіолету, при засвіченні давно відмовилися.

Як характеристики технологічного процесу виробництва мікросхем вказують мінімальні контрольовані розміри топології фотоповторювача (контактні вікна в оксиді кремнію, ширина затворів в транзисторах і&nbsp;т.&nbsp;д.) і, як наслідок, розміри транзисторів (і інших елементів) на кристалі. Цей параметр, проте, знаходиться у взаємозалежності з рядом інших виробничих можливостей: чистотою отримуваного кремнію, характеристиками інжекторів, методами фотолітографії, методами витравлення і напилення.

В 1970-х роках мінімальний контрольований розмір становив 2-8 мкм, в 1980-х був зменшений до 0,5-2 мкм. Деякі експериментальні зразки устаткування фотолітографії рентгенівського діапазону забезпечували мінімальний розмір 0,18 мкм.

В 1990-х роках, через новий виток «війни платформ», експериментальні методи стали впроваджуватися у виробництво і швидко удосконалюватися. На початку 1990-х процесори (наприклад, ранні Pentium і Pentium Pro) виготовляли за технологією 0,5-0,6 мкм (500—600 нм). Потім їх рівень піднявся до 250—350 нм. Наступні процесори (Pentium 2, K6&nbsp;— 2, Athlon) вже робили за технологією 180 нм.

Наприкінці 1990-х фірма [[Texas Instruments]] створила нову ультрафіолетову технологію з мінімальним контрольованим розміром близько 80 нм. Але досягти її в масовому виробництві не вдавалося аж до недавнього часу. За станом на 2009 рік технології вдалося забезпечити рівень виробництва аж до 90 нм.

Нові процесори (спершу це був Core 2 Duo) роблять по новій УФ-технології 45 нм. Є і інші мікросхеми, що давно досягли і перевищили цей рівень (зокрема, відеопроцесори і флеш-пам'ять фірми [[Samsung]]&nbsp;— 40 нм). Проте подальший розвиток технології викликає все більше труднощів. Обіцянки фірми [[Intel]] по переходу на рівень 30 нм вже до 2006 року так і не збулися.

За станом на 2009 рік альянс провідних розробників і виробників мікросхем працює над технологічним процесом 32 нм.

У 2010-му в роздрібному продажі вже з'явилися процесори, розроблені по 32-х нм технологічному процесу.

=== Ступінь інтеграції ===
Залежно від ступеня інтеграції застосовують наступні назви інтегральних схем:

{|class="wikitable sortable"
! Скорочення !! Розшифровка !! Рік !! Кількість [[транзистор]]ів<ref>{{Cite web |url=http://www.iutbayonne.univ-pau.fr/~dalmau/documents/cours/archi/MICROPancien.pdf |title=Архівована копія |accessdate=20 червня 2017 |archive-date=9 серпня 2017 |archive-url=https://web.archive.org/web/20170809093452/http://www.iutbayonne.univ-pau.fr/~dalmau/documents/cours/archi/MICROPancien.pdf }}</ref> !! Кількість [[Логічний вентиль|вентилів]]<ref>{{cite book|language=fr|url=https://books.google.fr/books?id=ZbcsAQAAIAAJ&q=ssi+msi+12+99+portes+lsi&dq=ssi+msi+12+99+portes+lsi&hl=fr&sa=X&ei=oWR0VeqMGcW0UeiHgNAD&ved=0CC8Q6AEwAA|title=Bulletin de la Societe fribourgeoise des sciences naturelles, Volumes 62 à 63|year=1973|accessdate=20 червня 2017|archive-date=14 серпня 2017|archive-url=https://web.archive.org/web/20170814180938/https://books.google.fr/books?id=ZbcsAQAAIAAJ&q=ssi+msi+12+99+portes+lsi&dq=ssi+msi+12+99+portes+lsi&hl=fr&sa=X&ei=oWR0VeqMGcW0UeiHgNAD&ved=0CC8Q6AEwAA}}</ref>
|-
| МІС ({{lang-en|SSI}}) || мала інтегральна схема ({{lang-en|small-scale integration}}) || 1964 || від 1 до 10 || 1 до 12
|-
| СІС ({{lang-en|MSI}}) || середня інтегральна схема ({{lang-en|medium-scale integration}}) || 1968 || від 10 до 500 || від 13 до 99
|-
| ВІС ({{lang-en|LSI}}) || велика інтегральна схема ({{lang-en|large-scale integration}}) || 1971 || від 500 до {{formatnum:20000}} || від 100 до {{formatnum:9999}}
|-
| НВІС ({{lang-en|VLSI}}) || надвелика інтегральна схема ({{lang-en|very large-scale integration}}) || 1980 || від {{formatnum:20000}} до {{formatnum:1000000}} || від {{formatnum:10000}} до {{formatnum:99999}}
|-
| {{lang-en|ULSI}} || {{lang-en|ultra-large-scale integration}} || 1984 || від {{formatnum:1000000}} і більше || від {{formatnum:100000}} і більше
|}

=== Контроль якості ===
Для контролю якості інтегральних мікросхем широко застосовують так звані тестові структури.

== Серії мікросхем ==
Аналогові і цифрові мікросхеми випускаються серіями. Серія&nbsp;— це група мікросхем, що мають єдине конструктивно-технологічне виконання і призначені для спільного застосування. Мікросхеми однієї серії, як правило, мають однакову напругу джерел живлення, погоджені по вхідних і вихідних опорах, рівнях сигналів. Наприклад, [[Мікросхеми серії 74xx|серія 74HC]]&nbsp;— серія цифрових CMOS мікросхем загального призначення з ТТЛ-сумісними входами та виходами, а [[Мікросхеми серії 54xx|серія 54HC]]&nbsp;— її варіант з розширеним температурним діапазоном військового призначення (також називають підсерією).

== Корпуси мікросхем ==
{{main|Корпус мікросхеми}}
Мікросхеми випускаються в двох конструктивних варіантах&nbsp;— корпусному і [[Chip-On-Board|безкорпусному]].

Безкорпусна мікросхема&nbsp;— це напівпровідниковий кристал, призначений для монтажу в гібридну мікросхему або мікрозбірку (можливий безпосередній монтаж на друковану плату). [[Корпус мікросхеми]]&nbsp;— це частина конструкції мікросхеми, призначена для захисту від зовнішніх дій і для з'єднання із зовнішніми електричними колами за допомогою виводів. Корпуси стандартизовані для спрощення технологічного процесу виготовлення виробів з різних мікросхем. Число стандартних корпусів обчислюється сотнями. У сучасних імпортних корпусах для поверхневого монтажу застосовують і метричні розміри: 0,8&nbsp;мм; 0,65&nbsp;мм і інші.

== Призначення ==
Інтегральна мікросхема може мати закінчений, скільки завгодно складний, функціонал&nbsp;— аж до цілого [[мікрокомп'ютер]]а (однокристальний мікрокомп'ютер).

=== Аналогові схеми ===
* [[Операційний підсилювач|Операційні підсилювачі]]
* [[Компаратор]]и
* [[Електронний генератор|Генератори сигналів]]
* [[Електронний фільтр|Фільтри]] (у тому числі на п'єзоефекті)
* [[Змішувач (електроніка)|Аналогові помножувачі]]
* Аналогові [[атенюатор]]и і регульовані підсилювачі
* Стабілізатори джерел живлення: стабілізатори [[Стабілізатор напруги#Інтегральний стабілізатор напруги|напруги]] і [[Стабілізатор струму|струму]]
* Мікросхеми управління [[Імпульсний стабілізатор напруги|імпульсних блоків живлення]]
* [[Вимірювальний перетворювач|Перетворювачі сигналів]]
* Схеми [[Синхросигнал|синхронізації]]
* Різні [[датчик]]и (температури та ін.)

=== Цифрові мікросхеми ===
* [[Логічні елементи]]
* [[Тригер]]и
* [[Лічильник імпульсів|Лічильники]]
* [[Регістр (цифрова техніка)|Регістри]]
* [[Буфер (інформатика)|Буферні]] перетворювачі
* [[Шифратор]]и
* [[Дешифратор]]и
* [[Цифровий компаратор]]
* [[Мультиплексор]]и
* [[Демультиплексор]]и
* [[Суматор]]и
* [[Напівсуматор]]и
* [[Мультиплексор|Ключі]]
* [[Арифметико-логічний пристрій|Арифметико-логічні пристрої]]
* [[Мікроконтролер]]и
* [[Мікропроцесор|(Мікро) процесори]] (у тому числі ЦП для комп'ютерів)
* [[Електронна обчислювальна машина|Однокристальні мікрокомп'ютери]]
* Мікросхеми і модулі [[Комп'ютерна пам'ять|пам'яті]]
* [[ПЛІС]] (програмовані логічні інтегральні схеми)

Цифрові інтегральні мікросхеми мають ряд переваг в порівнянні з аналоговими:
* Зменшене [[енергоспоживання]] пов'язане із застосуванням в цифровій електроніці імпульсних електричних сигналів. При отриманні і перетворенні таких сигналів активні елементи електронних пристроїв (транзисторів) працюють в «ключовому» режимі, тобто транзистор або «відкритий»&nbsp;— що відповідає сигналу високого рівня (1), або «закритий»&nbsp;— (0), в першому випадку на транзисторі немає падіння напруги, в другому&nbsp;— через нього не йде струм. У обох випадках енергоспоживання близьке до 0, на відміну від аналогових пристроїв, в яких велику частину часу транзистори знаходяться в проміжному (резистивному) стані.
* Висока [[завади|завадостійкість]] цифрових пристроїв пов'язана з великою відмінністю сигналів високого (наприклад, 2,5-5 В) і низького (0-0,5 В) рівня. Помилка можлива при таких перешкодах, коли високий рівень сприймається як низький і навпаки, що малоймовірно. Крім того, в цифрових пристроях можливе застосування спеціальних кодів, що дозволяють виправляти помилки.
* Велика відмінність сигналів високого і низького рівня і досить широкий інтервал їх допустимих змін робить цифрову техніку нечутливою до неминучого в інтегральній технології розкиду параметрів елементів, позбавляє від необхідності підбору і налаштування цифрових пристроїв.

=== Аналогово-цифрові схеми ===
* Цифро-аналогові ([[ЦАП]]) і аналогово-цифрові перетворювачі ([[АЦП]])
* [[Цифровий обчислювальний синтезатор|Цифрові обчислювальні синтезатори]] (ЦОС)
* [[Трансивер]]и (наприклад, перетворювач інтерфейсу Ethernet)
* [[Модулятор]]и і [[демодулятор]]и
* [[модем|Радіомодеми]]
* [[Дешифратор|Декодери]] телетексту, УКХ-радіо-тексту
* Трансивери [[Fast Ethernet]] і оптичних ліній
* [[Комутована лінія зв'язку|Dial&nbsp;— Up модеми]]
* Приймачі [[Цифрове телебачення|цифрового ТБ]]
* Сенсор [[Комп'ютерна миша|оптичної миші]]
* Перетворювачі напруги живлення і інші пристрої на перемикальних конденсаторах
* Цифрові атенюатори
* Схеми [[ФАПЧ|фазового автопідстроювання частоти (ФАПЧ)]] з послідовним інтерфейсом
* [[Мультиплексор|Комутатори]]
* [[Електронний генератор|Генератори]] і відновники частоти тактової синхронізації
* [[Базовий матричний кристал|Базові матричні кристали]] (БМК): містить як аналогові, так і цифрові первинні елементи

== Див. також ==
* [[Твердотільна електроніка]]
* [[Інтегральна мікросхема]]
* [[Технологічний процес в електронній промисловості]]
* [[Типи корпусів мікросхем]]
* [[ASSP (електроніка)]]
* [[Радіаційна стійкість]]

== Примітки ==
{{reflist}}

== Джерела ==
* [http://www.3dnews.ru/news/ibm_i_amd_brosili_vizov_intel_v_tehprotsesse_22_nm/ IBM и AMD бросили вызов Intel в 22-нм техпроцессе]
* [https://web.archive.org/web/20101016052946/http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13%2F79%2F16 По следам IDF 2010: Intel запланировала перевод процессоров Atom на техпроцесс 22 и 15 нм]
* [http://www.oszone.net/13142/Globalfoundries_technology_process Globalfoundries осваивает техпроцесс по нормам 22 и 20 нм]
* [http://www.innovbusiness.ru/content/document_r_57E556B1-72DB-47A4-AAD1-8697EA702760.html ПРАВО НА ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ]
* [https://archive.today/20121225021138/elanina.narod.ru/lanina/index.files/student/tehnology/text/page1.htm Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления.]

== Література ==
* Електроніка і мікросхемотехніка&nbsp;: Навч. посіб. для підгот. фахівців із спец. «Енергетика с.-г. вир-ва» в аграр. вищ. навч. закл. ІІІ&nbsp;— IV рівнів акредитації / В.&nbsp;Т.&nbsp;Дмитрів, В.&nbsp;М.&nbsp;Шиманський&nbsp;; Львівський держ. аграр. ун-т.&nbsp;— Л.&nbsp;: Афіша, 2004.&nbsp;— 176 c.&nbsp;— Бібліогр.: с. 171—172.

{{17px}}
{{Електронні компоненти}}
{{Інформатика}}

{{Бібліоінформація}}
[[Категорія:Електронні компоненти]]
[[Категорія:Інтегральні схеми]]
[[Категорія:Мікроелектроніка]]
[[Категорія:Корпуси мікросхем]]

Шаблони, використані на цій сторінці:

Шаблон:!(( (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:17px (редагувати)
Шаблон:Cite book (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Cite web (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Hlist/styles.css (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Iw (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Lang-en (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Main (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Main other (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Navbox (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Navbox subgroup (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Navbox subgroups (переглянути вихідний код) (частково захищено)
Шаблон:Nobr (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Nowrap (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Reflist (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Reflist/styles.css (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Str find (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:· (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Інформатика (редагувати)
Шаблон:Бібліоінформація (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Електронні компоненти (редагувати)
Шаблон:Не перекладено (переглянути вихідний код) (захищено)
Шаблон:Нп (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Arguments (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Check for unknown parameters (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Citation/CS1 (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Citation/CS1/COinS (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Citation/CS1/Configuration (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Citation/CS1/Identifiers (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Citation/CS1/Utilities (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Citation/CS1/Whitelist (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Citation/CS1/styles.css (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:External links (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang/ISO 639 synonyms (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang/data (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang/data/iana languages (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang/data/iana regions (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang/data/iana scripts (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang/data/iana suppressed scripts (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang/data/iana variants (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Lang/data/languages abbr. (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Languages (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Languages/data (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Navbar (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Navbar/configuration (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Navbar/styles.css (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Navbox (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Navbox/configuration (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Navbox/styles.css (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:String (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:TableTools (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Unicode data (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Unicode data/scripts (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Yesno (переглянути вихідний код) (захищено)
Модуль:Не перекладено (переглянути вихідний код) (захищено)

Повернення до сторінки «Мікросхема».

Отримано з https://uk.wikipedia.org/wiki/Мікросхема