หน่วยความจำแฟลช
| ชนิดของหน่วยความจำ |
|---|
| ชั่วคราว |
| แรม |
| กำลังพัฒนา |
| ในอดีต |
|
| ถาวร |
| รอม |
| แรมจำข้อมูลถาวร |
| แรมจำข้อมูลถาวรยุคใหม่ |
| กำลังพัฒนา |
| ในอดีต |
|
หน่วยความจำแฟลช (อังกฤษ: Flash memory) หรือ แฟลช คือ อุปกรณ์เก็บข้อมูลถาวรสำหรับคอมพิวเตอร์ที่สามารถลบและเขียนใหม่ได้ โดยมีลักษณะการทำงานเป็นอิเล็กทรอนิกส์ทั้งหมด กล่าวคือไม่มีชิ้นส่วนที่เคลื่อนที่ขณะทำงาน (ต่างกับฮาร์ดดิสก์ที่มีจานแม่เหล็กหมุนตลอดเวลาขณะทำงาน)
หน่วยความจำแฟลชพัฒนาต่อมาจาก EEPROM (หน่วยความจำแบบรอมที่สามารถลบข้อมูลได้) ปัจจุบันหน่วยความจำแฟลชมีด้วยกันสองชนิดคือ หน่วยความจำแฟลชชนิด NAND และหน่วยความจำแฟลชชนิด NOR ซึ่งเป็น NAND และ NOR เป็นชื่อของโลจิกเกตที่เซลล์หน่วยความจำแฟลชแต่ละชนิดใช้
หน่วยความจำแฟลชชนิดที่ได้รับความนิยมในปัจจุบันคือ ชนิด NAND และใช้เป็นหน่วยความจำใน แฟลชไดรฟ์, โซลิดสเตตไดรฟ์, เมโมรีการ์ด และมีผลิตภัณฑ์อื่นๆ อีกมาก โดยถูกใช้เป็นหลักในอุปกรณ์พกพาเนื่องจากสามารถทนทานต่อแรงกระแทกได้ดีกว่าฮาร์ดดิสก์มาก
 | บทความนี้ยังเป็นโครง คุณสามารถช่วยวิกิพีเดียได้โดยการเพิ่มเติมข้อมูล หมายเหตุ: ขอแนะนำให้จัดหมวดหมู่โครงให้เข้ากับเนื้อหาของบทความ (ดูเพิ่มที่ วิกิพีเดีย:โครงการจัดหมวดหมู่โครงที่ยังไม่สมบูรณ์) |