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{{Infobox Chimie
| nom = Arséniure d'indium
| image = 
| image2 = 
| taille image = 
| légende = [[Image:Sphalerite polyhedra.png|250px]]<br /><span style="color:#C0C0C0; background-color:#C0C0C0;">__</span> In{{exp|3+}}&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<span style="color:#EEEE00;background-color:#EEEE00;">__</span> As{{exp|3-}}<br />[[Image:Indium arsenide.jpg|200px]]
<!-- Général -->
| DCI = 
| nomIUPAC = arséniure d'indium(III)
| synonymes = 
| CAS = {{CAS|1|3|0|3|1|1|3}}
| EINECS = {{EINECS|2|1|5|1|1|5|3}}
| RTECS = 
| ATC = {{ATC|}}
| DrugBank = 
| PubChem = 
| chEBI = 
| NrE = 
| FEMA = 
| SMILES = 
| InChI = 
| InChIKey = 
| StdInChI = 
| StdInChIKey = 
| apparence = Solide gris
<!-- Propriétés chimiques -->
| formule =InAs |In=1|As=1|cacher=oui |categorisationAuto=désactivée
| masseMol = 
| pKa = 
| momentDipolaire = 
| susceptibiliteMagnetique =
| diametreMoleculaire = 
| indiceIode = 
| indiceAcide = 
| indiceSaponification = 
<!-- Propriétés physiques -->
| TTransitionVitreuse = 
| fusion = {{tmp|936|942|°C}}
| ebullition = {{tmp||°C}}
| solubilite = insoluble dans l'eau
| miscibilite = 
| masseVolumique = 5,68
| TAutoInflammation = {{tmp||°C}}
| pointEclair = {{tmp||°C}}
| limitesExplosivite = 
| pressionVapeur = 
| viscosite = 
| pointCritique = 
| pointTriple = 
| conductivitéThermique = 
| conductivitéÉlectrique = 
| vitesseSon = 
<!-- Thermochimie -->
| emsGaz = 
| emsLiquide = 
| emsSolide = 
| esfGaz = 
| esfLiquide = 
| esfSolide = 
| enthFus = 
| enthVap = 
| capaciteTherm = 
| PCS = 
| PCI = 
<!-- Propriétés biochimiques -->
| codons = 
| pHisoelectrique = 
| acideAmineEss = 
<!-- Propriétés électroniques -->
| bandeInterdite = {{unité/2|0.354|eV}}
| mobiliteElectronique = {{unité/2|40000|cm|2|V|-1|s|-1}}
| mobiliteTrous = 
| 1reEnergieIonisation = 
| constanteDielectrique = 
<!-- Cristallographie -->
| systemeCristallin = Cubique
| reseauBravais = 
| Pearson = 
| classe = 
| Schoenflies = 
| Strukturbericht = 
| structureType =  [[Structure blende|zinc-blende]]
| parametresMaille = {{Unité/2|0.605|nm}}<ref name=ioffe/>
| volume = 
| macle = 
<!-- Propriétés optiques -->
| refraction = 3,51
| birefringence = 
| dispersion = 
| polychroisme = 
| fluorescence = 
| absorption = 
| transparence = 
| pvrRotatoire = 
| cteVerdet = 
<!-- Précautions -->
| radioactif = 
| 67548EEC = 
| 67548EECref = 
| symboles = T, N
| numeroIndex = {{indexCE|}}
| classificationCE = 
| r = R23/25, R50/53
| s = S1/2, S28, S45, S60, S61, S20/21
| transportRef = 
| transport = {{ADR|Kemler=|ONU=|Classe=|CodeClassification=|Etiquette=|Etiquette2=|Etiquette3=|Emballage=}}
| NFPA704ref = 
| NFPA704 = {{NFPA 704|Health=|Flammability=|Reactivity=|Other=}}
| SIMDUTref = 
| SIMDUT = {{SIMDUT|}}
| SGHref = 
| SGH = {{SGH|}}
| CIRC = 
| inhalation = 
| peau = 
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| ingestion = 
<!-- Écotoxicologie -->
| DL50 = 
| CL50 = 
| LogP = 
| DJA = 
| odorat = 
<!-- Données pharmacocinétiques -->
| CAM = 
| biodisponibilite = 
| liaisonProteique = 
| metabolisme = 
| demiVieDistrib = 
| demiVieElim = 
| stockage = 
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<!-- Considérations thérapeutiques -->
| classeTherapeutique = 
| voieAdministration = 
| grossesse = 
| conduiteAuto = 
| precautions = 
| antidote = 
<!-- Caractère psychotrope -->
| categoriePsycho = 
| modeConsommation = 
| autresNoms = 
| risqueDependance = 
<!-- Composés apparentés -->
| autres = 
| autrescations = [[Arséniure de bore]]<br>[[Arséniure d'aluminium]]<br>[[Arséniure de gallium]]
| autresanions = [[Nitrure d'indium]]<br>[[Phosphure d'indium]]<br>[[Antimoniure d'indium]]
| isomères = 
<!-- Supplément -->
| supplement = 
}}<!-- ----------------------------- Fin de l'infoboite ----------------------------- -->
L''''arséniure d'indium''', '''InAs''', est un [[semi-conducteur]] composite de type [[semi-conducteur III-V|III-V]], composé d'[[arsenic]] et d'[[indium]]. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de {{tmp|942|°C}}<ref name=ioffe>{{lien web|langue=en | url = http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/InAs/thermal.html | titre = Thermal properties of Indium Arsenide (InAs) | date=23 juillet 2001 | site=[[Institut physico-technique Ioffe|ioffe.rssi.ru]] | consulté le = 22 novembre 2011}}</ref>. L'arséniure d'indium est assez similaire à l'[[arséniure de gallium]]. Ses propriétés en sont assez proches, et comme celui-ci, il possède un [[Gap direct et gap indirect|gap direct]]. Il possède l'une des plus importantes [[mobilité des porteurs de charge|mobilités d'électron]] parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits. Il est toxique et dangereux pour l'environnement.

L'arséniure d'indium est parfois utilisé en combinaison avec le [[phosphure d'indium]] (InP). Les alliages avec l'[[arséniure de gallium]] (GaAs) forment un semi-conducteur ternaire, l'[[arséniure d'indium-gallium]] (InGaAs), dont le gap dépend du ratio In/Ga.

La différence de [[paramètre de maille]] entre l'arséniure d'indium et le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium est cependant suffisante pour former des [[boîte quantique|boîtes quantiques]] (''quantum dots'') : lors du dépôt d'une [[monocouche]] d'InAs sur un substrat d'InP ou de GaAs, en raison des tensions qui se forment à cause de cette différence de paramètre de maille, l'arséniure d'indium se réorganise en « nano-îles » formant à la surface d'InP ou de GaAs des boîtes quantiques<ref>{{lien web|langue=en | url = http://oemagazine.com/fromTheMagazine/feb02/eyeontech.html | titre = oe magazine - eye on technology | consulté le = 22 novembre 2011 }}</ref>. Il est également possible de former des boîtes quantiques dans l'arséniure d'indium-gallium ou dans l'[[arséniure d'aluminium-gallium]].

== Cristallographie ==
Comme l'[[arséniure de gallium]] et la plupart des semi-conducteurs binaires, l'arséniure d'indium a une structure cristallographique de type « [[Structure blende|blende]] ».

== Applications ==
De par sa forte mobilité en électrons et de son gap réduit, il est souvent utilisé en [[opto-électronique]] dans la gamme des rayonnements infrarouges et longueurs d'onde supérieures. Les propriétés optoélectroniques et les vibrations phononiques sont légèrement modifiées sous l'effet de la température dans la gamme de 0 K à 500 K<ref>{{article|langue=en|prénom1=Abdel Razik|nom1=Degheidy|prénom2=Elkenany Brens|nom2=Elkenany|prénom3=Mohamed Abdel Kader|nom3=Madkour|prénom4=Ahmed. M.|nom4=Abuali|titre=Temperature dependence of phonons and related crystal properties in InAs, InP and InSb zinc-blende binary compounds|journal=Computational Condensed Matter|volume=16|date=2018-09-01|doi=10.1016/j.cocom.2018.e00308|pages=e00308|s2cid=104138117}}</ref>, alors que le changement est très important sous l'effet de la pression, par exemple l'InAs converti d'un semi-conducteur à bande interdite directe en un semi-conducteur à bande interdite indirecte<ref>{{article|langue=en|prénom1=A. R.|nom1=Degheidy|prénom2=A. M.|nom2=Abuali|prénom3=Elkenany B.|nom3=Elkenany|titre=The Response of Phonon Frequencies, Sound Velocity, Electronic, Optical, and Mechanical Properties of Indium (Phosphide, Arsenide, and Antimonide) to Hydrostatic Pressure|journal=ECS Journal of Solid State Science and Technology|volume=11|numéro=6|date=2022-06-01|issn=2162-8769|doi=10.1149/2162-8777/ac79cc|url=https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac79cc|pages=063016|s2cid=249836631}}</ref>.

Il est très souvent utilisé comme source de radiation [[térahertz]] car c'est un fort émetteur {{Lien|trad=Photo–Dember effect|langue=en|fr=Effet photo-Dember|texte=photo-Dember}}. L'arséniure d'indium est aussi utilisé pour la fabrication de [[Diode laser|diodes laser]].

=== Détecteur infrarouge ===
L'arséniure d'indium est utilisé dans la fabrication de [[détecteur infrarouge|détecteurs infrarouges]] pour une longueur d'onde comprise entre 1 et {{unité/2|3.8|µm}}. Ces détecteurs sont souvent sous la forme de [[photodiode|photodiodes]], mais dans les derniers développements, l'arséniure d'indium est aussi utilisé dans les [[Photodétecteur infrarouge à puits quantiques|photodétecteurs infrarouge à puits quantiques (QWIPs)]] et les photodétecteurs infrarouges à boîtes quantiques (QDIPs). Si leurs performances, notamment en termes de bruit, sont meilleures refroidies à des températures cryogéniques, les détecteurs à base d'InAs fonctionnent aussi à haute puissance à température ambiante.

== Notes et références ==
{{Références}}
{{Traduction/Référence|en|Indium arsenide|461999771}}

{{Palette|Composés de l'indium|Composés de l'arsenic}}
{{Portail|chimie|matériaux|électricité et électronique}}

{{DEFAULTSORT:Arseniure d'indium}}
[[Catégorie:Composé de l'indium]]
[[Catégorie:Arséniure|Indium]]
[[Catégorie:Composé III-V]]

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