نیمه‌هادی نوع پی
نیمه‌هادی نوع پی گونه‌ای از نیمه‌هادی‌ها است که به وسیلهٔ آلایش یک نیمه‌رسانای با اتم‌های پذیرنده به دست می‌آید و از این راه حامل‌های بار آزاد مثبت (حفره‌ها) در نیمه‌هادی افزایش می‌یابند.
در لایهٔ آخر نیمه‌هادی‌های خالص مانند سیلیسیم یا ژرمانیم تنها چهار الکترون والانس وجود دارد.[۱] ناخالصی تزریق‌شده به نیمه‌هادی عنصری با اتم‌های سه‌ظرفیتی مانند آلمینیوم است. در نتیجه در چهار پیوند کووالانسی ایجاد شده به بین اتم‌های ناخالصی و نیمه‌هادی، یکی از پیوندها ناقص خواهد شد و حفره‌ای به وجود می‌آید که الکترون‌های لایهٔ والانس اتم‌های مجاور دائماً سعی می‌کنند آن را پر کنند و بنابراین حفره پایدار نخواهد ماند. با توجه به بیشتربودن تعداد حفره‌ها از الکترون‌ها در این نیمه‌هادی به حفره‌ها حامل‌های اکثریت و به الکترون‌ها حامل‌های اقلیت گفته می‌شود و کریستال حاصل را نیمه‌هادی نوع پی (پی مخفف positive در انگلیسی و به معنای مثبت است) می‌گویند.[۲]
جستارهای وابسته
[ویرایش]منابع
[ویرایش]- علی‌بابا، محمدمهدی (۱۳۹۰). کنترل‌کننده‌های منطقی. انتشارات گویش نو. شابک ۹۷۸-۶۰۰-۵۰۸۴-۶۹-۶.
- Wikipedia contributors, "P-type semiconductor," Wikipedia, The Free Encyclopedia, http://en.wikipedia.org/w/index.php?title=P-type_semiconductor&oldid=505259601 (accessed September 27, 2012).
 | این یک مقالهٔ خرد الکترونیک است. می‌توانید با گسترش آن به ویکی‌پدیا کمک کنید. |