Liste elektrischer Bauelemente

Dieser Artikel listet elektrische bzw. elektronische Bauelemente auf (auch Bauteile genannt), die man für Schaltungen in der Elektrotechnik bzw. Elektronik benötigt.

• Leiterplatten
• Kabel, Koaxialkabel
• Streifenleitung
• Lecher-Leitung
• Supraleiter
• Wellenleiter
  • Hohlleiter
  • Bestandteile von Antennen (Antennenelemente)
  • Goubau-Leitung
  • Zirkulator

• Einphasen-Haushaltsstecksysteme
• Ein- und Mehrphasen-Niederspannungssysteme
• Kleinspannungsstecker
• Labor-Steckverbinder
• Audio-Steckverbinder
• Videosignal-Steckverbinder
• Hochfrequenz-Steckverbinder
• Daten-Steckverbinder
• Telefon-Steckverbinder
• LWL-Steckverbinder

• Schalter
• Relais, Schütz
• Leitungsschutzschalter, Motorschutzschalter
• Nulldurchgangsschalter
• Nullspannungsschalter
• Reed-Relais

• Schwingquarze
• Keramikresonatoren
• Quarzoszillatoren, (PXO, Quarzofen, TCXO, VXO, VCXO, DTCXO)
• AOW-Oszillatoren
• AOW-Filter
• Keramikfilter

• Inertialsensoren (IMU)
  • MEMS-Drehratensensor
  • MEMS-Gyroskope
  • MEMS-Beschleunigungssensoren für Airbags
  • MEMS-Drucksensoren für Reifendruckmessung und Blutdruckmessung
• Mikrofluidik
  • Microdispensers (Dosierpumpen)
  • MEMS-Lab-on-a-Chip für In vitro diagnostics (IVD)
  • MEMS-Bubble-Jet-Druckköpfe
• Optische MEMS-Aktoren
  • MEMS-Optischer Schalter (Optical switch)
  • MEMS-Projektions-Systeme (Mikrospiegelaktor)
  • MEMS-Interferometric modulator display (digitale Displays)
• MEMS-Oszillatoren
• Rundfunk-MEMS (RF MEMS)
• MEMS-Mikrofone für Smartphones, Headsets, Hörgeräte oder Digitalkameras
• MEMS-Ultraschallwandler
• Pyroelektrische MEMS-Sensoren (PIR)
• Mikrobolometer

• Widerstand
  • Festwiderstände
    • Dünnschichtwiderstand
    • Dickschichtwiderstand
    • Heizwiderstand
  • Nichtlineare Widerstände
    • Temperaturabhängige Widerstände
      • Kaltleiter (PTC)
      • Platin-Messwiderstand
      • Heißleiter (NTC)
    • Fotowiderstand – lichtabhängiger Widerstand
    • Spannungsabhängige Widerstände
      • Varistor – spannungsabhängiger Widerstand
  • Variable Widerstände
    • Potentiometer – mechanisch einstellbarer Widerstand
• Kondensatoren
  • Festkondensatoren
    • Keramikkondensator
    • Kunststoff-Folienkondensator
    • Elektrolytkondensator
      • Aluminium-Elektrolytkondensator
      • Tantal-Elektrolytkondensator
      • Niob-Elektrolytkondensator
      • Polymer-Elektrolytkondensator
    • Superkondensator (Doppelschichtkondensator)
      • Lithium-Ionen-Kondensator
    • Glimmerkondensator
    • Vakuumkondensator
  • Leistungskondensatoren
  • Variable Kondensatoren, (Trimmkondensator, Drehkondensator)
• Induktive Bauelemente
  • Induktivität (Bauelement),
    • Chipinduktivität, Mikroinduktivität
    • Spule (Elektrotechnik),
    • Luftspule, Toroidspule, Zündspule, Schwingspule, Tauchspule, Helmholtz-Spule
    • Drossel (Elektrotechnik)
  • Transformatoren
    • Streufeldtransformator
    • Übertrager
    • Balun
  • Magnete
• Sonstige passive Bauelemente
  • Gasableiter, Funkenstrecke (Schutzelemente vor Überspannung)
  • elektrische Lampen und Strahlungsquellen
    • Gasentladungslampen
      • Leuchtstofflampe
      • Metalldampflampe
    • Glühlampen
  • Memristor

• Galvanische Zelle, galvanisches Element
• Brennstoffzelle
• Elektrischer Generator
• Solarzelle
• Peltier-Element als thermoelektrischer Generator
• Daniell-Element, eine spezielle galvanische Zelle

• Nullode, elektrodenlose Gasentladungsröhre
• Röhrendiode, Zweipolröhre
• Triodenröhre, die einfachste Verstärkerröhre (Anode, Gitter, Kathode)
• Tetrode – Röhre mit zwei Gittern
• Pentode – Röhre mit drei Gittern (Schirm-, Steuer- und Bremsgitter)
• Hexode – Röhre mit vier Gittern (Steuer- und Bremsgitter, zwei Schirmgitter)
• Braun’sche Röhre: Kathodenstrahlröhre
• Röntgenröhre
• Klystron
• Krytron
• Magnetron
• Sekundärelektronenvervielfacher
• Photomultiplier
• Thyratron
• Excitron
• Ignitron
• Senditron
• Quecksilberdampfgleichrichter
• Verbundröhre
• Abstimmanzeigeröhre
• Nixie-Röhre – Röhre zur Darstellung verschiedener Zeichen (Ziffern)

• Dioden (außer Optoelektronik)
  • Avalanche-Diode
  • Backward-Diode
  • Gleichrichter
  • Kapazitätsdiode
  • Schottky-Diode
  • Suppressordiode
  • Tunneldiode
  • Zener-Diode (auch Z-Diode oder Begrenzerdiode)
  • Gunndioden
• Transistoren
  • Transistoren, die auf einem Potentialeffekt basieren:
    • Bipolare Transistoren
      • Bipolartransistor (engl. bipolar junction transistor, BJT)
        • Spitzentransistor (engl. point-contact transistor)
        • Darlington-Transistor (engl. Darlington transistor bzw. Darlington amplifier)
        • gezogener Transistor (auch „Wachstumstransistor“, engl. grown-junction transistor)^[1]
        • Legierungstransistor (engl. alloy junction transistor)
          • Mikrolegierungstransistor (engl. micro-alloy transistor, MAT)
          • Drifttransistor (engl. drift transistor), auch: (drift-field transistor, DFT) oder (graded-base transistor)
        • Oberflächensperrschichttransistor (engl. surface barrier transistor)
          • MAD-Transistor (engl. micro-alloy diffused transistor, MADT)
        • Diffusionstransistor (engl. diffusion transistor), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET****** PAD-Transistor (engl. post-alloy diffused transistor, PADT)
          • Mesatransistor (engl. mesa transistor)
        • Schottky-Transistor (engl. schottky transistor)
        • „Transistor mit diffundierter Basis“ (engl. diffused base transistor)
        • Bipolarer Leistungstransistor (engl. bipolar power transistor)
          • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (engl. insulated-gate bipolar transistor, IGBT)
      • heterojunction bipolar transistor (HBT bzw. HBJT)
      • double-heterojunction bipolar transistor (DHBT)
      • tunneling-emitter bipolar transistor
      • Lawinentransistor (engl. avalanche transistor), eigentlich (engl. avalanche bipolar transistor) (ABT)
        • V-groove insulated-gate avalanche transistor (VIGAT)
    • tunneling hot-electron-transfer amplifier (THETA)
      • metal-base transistor
        • metal-insulator-metal-insulator-metal (MIMIM) transistor
          • metal-oxide metal-oxide-metal (MOMOM) transistor
        • metal-insulator-metal-semiconductor (MIMS) transistor
          • metal-oxide-metal-semiconductor (MOMS) transistor
        • semiconductor-metal-semiconductor transistor (SMST) transistor
        • metal-insulator-p-n (MIp-n) transistor
          • metal-oxide-p-n (Mop-n) transistor
      • hot-electron-transistor (THETA)
    • planar-doped-barrier transistor
      • camel transistor
      • field-effect hot-electron transistor
    • real-space-transfer transistor (RSTT),
      • negative-resistance field-effect transistor (NERFET),
      • charge-injection transistor (CHINT)
    • bipolar inversion-channel field-effect transistor (BICFET).
      • bulk-barrier transistor, bulk unipolar transistor
    • heterojunction hot-electron transistor
    • induced-base transistor
    • resonant-tunneling hot-electron transistor (RHET)
    • quantum-well-base resonant-tunneling transistor (QWBRTT)
    • Multiemitter-Transistor
    • Spacistor
    • tunnel-emitter transistor (TETRAN)
    • inversion-base bipolar transistor
      • surface-oxide transistor
    • resonant-tunneling bipolar transistor (RTBTIRBT)
  • Feldeffekttransistor (engl. field-effect transistor, FET): Transistoren, die auf einem Feldeffekt basieren
    • Feldeffekttransistor ohne isoliertes Gate (engl. non insulated gate field-effect transistor, NIGFET)
      • Sperrschicht-Feldeffekttransistor (engl. junction field-effect transistor, JFET)
        • V-groove field-effect transistor (VFET)
      • Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field-effect transistor, MESFET)
        • planar-doped field-effect transistor
          • delta-doped field-effect transistor (δFET)^[2]
          • pulse-doped field-effect transistor ^[3]
    • Isolierschicht-Feldeffekttransistor (engl. insulated gate field-effect transistor, IGFET)
      • Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal insulator semiconductur field-effect transistor, MISFET)
        • Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal oxide semiconductur field-effect transistor, MOSFET)
        • Floating-Gate-Transistor (engl. floating-gate transistor)
        • Organischer Feldeffekttransistor (engl. organic field-effect transistor, OFET)
        • Dünnschichttransistor (engl. thin film transistor, TFT)
        • metal-oxide-semiconductor transistor (MOST)
        • Double-diffused metal-oxide-semiconductor (DMOS) transistor
        • Hexagonal field-effect transistor (HEXFET)
        • V-groove (or vertical) metal-oxide-semiconductor (VMOS) transistor
        • U-groove metal-oxide-semiconductor (UMOS) transistor
        • Gate-controlled diode
        • Multigate-Feldeffekttransistoren (engl. Multiple gate device field-effect transistor)
          • FinFET
          • (engl. dual gate field-effect transistor)
          • (engl. Trigate transistors)
          • (engl. Tetrode transistor)
          • (engl. Pentode transistor)
        • Leistungs-MOSFET
        • Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor
      • fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor (FREDFET) auch fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor
      • Umgebungsgesteuerte Feldeffekttransistoren
        • Ionensensitiver Feldeffekttransistor (engl. ion-sensitive field effect transistor, ISFET)
        • electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor (EOSFET)
        • deoxyribonucleic acid field-effect transistor (DNAFET)
        • Fototransistor (engl. photo transistor)
        • Enzym-Feldeffekttransistor (engl. enzyme field-effect transistor, ENFET)
        • pressure-sensitive field-effect transistor (PRESSFET)
        • Radiation sensing field-effect transistor (RADFET)
    • modulation-doped field-effect transistor (MODFET),
      auch bekannt als: high-electron-mobility transistor (HEMT), two-dimensional electron-gas field-effect transistor(TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) oder heterojunction field-effect transistor (HFET)
      • inverted heterojunction field-effect transistor (inverted MODFET)
      • planar-doped (delta-doped, pulse-doped) heterojunction field-effect transistor
      • single-quantum-well heterojunction field-effect transistor, double-heterojunction field-effect transistor (DHFET)
      • superlattice heterojunction field-effect transistor
      • pseudomorphic heterojunction field-effect transistor (PMHFET)
      • heterojunction insulated-gate field-effect transistor (HIGFET)
      • semiconductor-insulator-semiconductor field-effect transistor (SISFET)
      • doped-channel heterojunction field-effect transistor
    • permeable-base transistor (PBT)
    • static-induction transistor (SIT)
      • analog transistor (konzentrisch aufgebauter Transistor mit Eigenschaften ähnlich einer Elektronenröhre, siehe auch Spacitor)
      • multi-channel field-effect transistor (McFET)
      • gridistor ^[4]
      • bipolar-mode static-induction transistor (BSIT)
      • depleted-base transistor (DBT)
    • lateral resonant-tunneling field-effect transistor (LRTFET)^[5]
    • Stark-effect transistor
    • velocity-modulation transistor (VMT).
  • Weitere Transistortypen:
    • Diffusionstransistor (engl. diffusion transistor), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET
    • Einzelelektronentransistor (engl. single-electron transistor, SET)
    • Leistungstransistor
      • bipolarer Leistungstransistor (Power BJT)
      • Leistungsfeldeffekttransistor (Power MOSFET)
    • Unijunction-Transistor (engl. unijunction transistor, UJT)
    • Spin-Transistor (engl. spin field-effekt transistor, Spin-FET)
    • nanofluidic transistor
    • Atomarer Transistor
    • ballistic transistor
    • Y-Transistor
• Vierschicht-Bauelemente
  • Thyristor
    • Gate-Turn-Off-Thyristor (GTO)
• Diac
• Triac
• Halbleiter mit speziellen Eigenschaften
  • Magnetdiode
  • Piezoelemente
  • Peltier-Element

• Nach Geschäftsmodell:
  • ASIC
  • ASSP
  • Standardbausteine, siehe beispielsweise Commercial off-the-shelf
• Nach der Komplexität:
  • SSI, MSI, LSI, VLSI etc. (siehe Integrationsgrad)
  • System-on-a-Chip
• Nach Funktion:
  • ROM, PROM (nur lesbare Speicher)
  • RAM (DRAM, SRAM), EPROM, EEPROM, Flash-EPROM (les- und beschreibbare Speicher)
  • Mikrocontroller, Mikroprozessor (CPU), Digitaler Signalprozessor (DSP)
  • Gleitkommaeinheit, Memory Management Unit (MMU)
  • Grafikprozessor
  • Chipsatz
  • Generic Array Logic (GAL), Programmable Array Logic (PAL), Field Programmable Gate Array (FPGA)
  • Logikgatter, Gate Array
  • Operationsverstärker
  • Spannungsregler, Schaltregler
  • Digital-Analog-Umsetzer, Analog-Digital-Umsetzer
  • Multiplexer

• Laserdiode
• Leuchtdiode
• Lichtschranke
• Photohalbleiter
  • Fotowiderstand
  • Halbleiter-Strahlungsdetektoren
  • Photoelemente
    • Silizium-Photodiode, pin-Diode, Avalanche-Photodiode
    • Solarzelle
    • Selen-Photoelement
  • Fototransistor
  • Fotothyristor (Optothyristor)
  • Optokoppler, Solid-state-Relais
  • CCD-Sensoren, CMOS-Sensoren, Bildsensor
  • Lichtwellenleiter (LWL)
  • Dünnschichttransistor (TFT)
  • OLED

• Digital Micromirror Device, siehe Mikrospiegelaktor
• Grating Light Valve
• Elektromagnet
• Elektromotor
  • Drehstrom-Synchronmaschine
  • Drehstrom-Asynchronmaschine
  • Gleichstrommaschine
• Lautsprecher
• Flüssigkristallbildschirm (LCD)
• diverse Bauteile, die den Piezoeffekt verwenden

(außer Photohalbleiter)

• Hall-Sensor
• Feldplatte
• SQUID
• Mikrofon
• Thermoelement
• NAMUR-Sensoren
• diverse Bauelemente, die den Piezoeffekt verwenden
• diverse Bauelemente, die das Kondensatorprinzip verwenden
• Lambdasonde
• Glaselektrode

• Regler
  • Analogregler, PID-Regler
  • Digitalregler, Fuzzy-Regler
• Speicherprogrammierbare Steuerung (SPS)
• Verstärker
• Sender
• Empfänger
• Filter
• Gyrator
• Wechselrichter

• Messgerät
• Betriebsmittel (Elektrotechnik)
• Liste der Schaltzeichen

• Das Elektronik-Kompendium: Bauelemente

1. ↑ Peter A. Schmitt (Hrsg.): Langenscheidts Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Englisch – Deutsch. 2., bearbeitete Auflage. Langenscheidt Fachverlag, Berlin [u. a.] 2004, ISBN 3-86117-227-5 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
2. ↑ Erdmann F. Schubert, Albrecht Fischer, Klaus Ploog: The delta-doped field-effect transistor (δFET). In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632, doi:10.1109/T-ED.1986.22543.
3. ↑ Kwok K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766, doi:10.1109/16.536822.
4. ↑ Stanislas Teszner, R. Gicquel: Gridistor – A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. Bd. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502–1513, doi:10.1109/PROC.1964.3439.
5. ↑ Stephen Y. Chou, James S. Harris Jr., R. Fabian W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. Bd. 52, Nr. 23, 1988, S. 1982–1984, doi:10.1063/1.99656.