Перейти до вмісту

GDDR7

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Типи DRAM пам'яті

GDDR7 SDRAM (англ. Graphics Double Data Rate 7 Synchronous Dynamic Random-Access Memory) — це тип синхронної графічної оперативної пам'яті, визначений стандартом напівпровідникової пам'яті JEDEC, з високою пропускною здатністю, «інтерфейсом подвійної швидкості передачі даних», призначений для використання в графічних картах, ігрових консолях та високопродуктивних обчисленнях. Це тип GDDR SDRAM (графічної DDR SDRAM), і є наступником GDDR6.

Історія

[ред. | ред. код]
  • На Samsung Tech Day 2022, Samsung оголосив про GDDR7 як наступника GDDR6X, який може забезпечити до 36 GT/s.[1] Через два місяці Samsung оголосив, що буде використовувати сигналізацію PAM-3 для досягнення найвищої швидкості передачі даних.[2]
  • 8 березня 2023 року Cadence оголосила про інструмент для верифікації попереднього виробництва GDDR7 SDRAM.[3]
  • 30 червня 2023 року Micron оголосила, що вироблятиме пам'ять на основі технологічного процесу 1ß (еквівалент 12–10 нм), запланований до випуску в першій половині 2024 року.[4]
  • 18 липня 2023 року Samsung оголосила про перше покоління GDDR7, яке може досягти до 32 Gbps на пін (на 33% вища пропускна здатність на пін у порівнянні з 24 Gbps на пін у GDDR6), на 40% вища пропускна здатність (1.5 TB/s) у порівнянні з GDDR6 (1.1 TB/s) та на 20% енергоефективніше. Для упаковки буде використовуватися епоксидне литтєве з'єднання (EMC) разом з оптимізацією архітектури IC, що знизить тепловий опір на 70%.[5] Пізніше, під час сесії питань та відповідей, Samsung зазначила, що виробництво буде здійснюватися з використанням процесу D1z (еквівалент 15–14 нм[6]) і працюватиме при напрузі 1.2В. Версія на 1.1В з нижчою частотою буде доступна пізніше після випуску версії на 1.2В.[7]
  • 5 березня 2024 року JEDEC опублікував офіційний стандарт та специфікації графічної пам'яті GDDR7.[8]

Технології

[ред. | ред. код]

GDDR7 SDRAM використовує сигнал PAM-3 (три-рівнева імпульсно-амплітудна модуляція) замість NRZ. PAM-3 на 20% енергоефективніше за NRZ при вищій пропускній здатності. Виробниче обладнання буде дешевше, ніж для PAM-4. PAM-3 обробляє 1.58 біта за цикл, тоді як NRZ обробляє лише 1 біт за цикл.[9] GDDR7 SDRAM також буде вироблятися за процесом 1ß (еквівалент 12–10 нм), що буде останнім виробничим процесом DRAM, який використовує фотолітографію з глибоким ультрафіолетом (DUV); майбутні пристрої будуть вироблятися з використанням літографії з екстремальним ультрафіолетом (EUV).

Примітки

[ред. | ред. код]
  1. ↑ Samsung announces 36 Gbps GDDR7 memory standard, aims to release V-NAND storage solutions with 1000 layers by 2030. Notebookcheck (англ.). 6 жовтня 2022. Процитовано 30 червня 2023.
  2. ↑ Discuss, btarunr (5 грудня 2022). Samsung Reveals GDDR7 Memory Uses PAM3 Signalling to Achieve 36 Gbps Data-Rate. TechPowerUp (англ.). Процитовано 30 червня 2023.
  3. ↑ Cadence announces first GDDR7 verification solution. VideoCardz.com (амер.). Процитовано 30 червня 2023.
  4. ↑ Micron could introduce GDDR7 memory chips in early 2024. TechSpot (амер.). 30 червня 2023. Процитовано 30 червня 2023.
  5. ↑ Samsung develops industry's first GDDR7 DRAM with 1.5 TBps bandwidth. Notebookcheck (англ.). 19 липня 2023. Процитовано 31 липня 2023.
  6. ↑ Memory Technology 2021: Trends & Challenges (PDF), 2021, процитовано 31 липня 2023
  7. ↑ Smith, Ryan. Samsung Completes Initial GDDR7 Development: First Parts to Reach Up to 32Gbps/pin. www.anandtech.com. Процитовано 31 липня 2023.
  8. ↑ JEDEC Publishes GDDR7 Graphics Memory Standard | JEDEC. www.jedec.org. Процитовано 5 березня 2024.
  9. ↑ Anton Shilov (19 липня 2023). GDDR7 Arrives: Samsung Outs World's First Chip, 32 GT/s for Next-Gen GPUs. Tom's Hardware (англ.). Процитовано 6 жовтня 2023.
Отримано з https://uk.wikipedia.org/wiki/GDDR7