eDRAM

eDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в ту же самую микросхему или в ту же самую систему, что и основной ASIC или процессор, в отличие от памяти SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей и от внешних модулей DRAM.

Встраивание предусматривает использование более широких шин и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.

eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как 1T-SRAM.

eDRAM используется в процессорах корпорации IBM (начиная с POWER7 ^[1]) и во множестве игровых приставок, включая PlayStation 2, PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Zune HD, iPhone, Xbox 360 и Wii U, а также в некоторых мобильных моделях процессоров компании Intel с архитектурой Haswell.

• An Embedded DRAM for CMOS ASICs  (англ.)
• Day dawns for eDRAM  (англ.)
• Embedded DRAM  (англ.)
• Logic-based eDRAM: Origins and rationale for use  (англ.)
• eDRAM: IBM’s new solution for CPU cache  (англ.)
• IBM eDram // EETimes  (англ.)

В статье есть список источников, но не хватает сносок. Без сносок сложно определить, из какого источника взято каждое отдельное утверждение. Вы можете улучшить статью, проставив сноски на источники, подтверждающие информацию. Сведения без сносок могут быть удалены. (14 августа 2014)