90 nanômetros

Fabricação
de dispositivos
semicondutores

10 µm – 1971
6 µm - 1974
3 µm - 1977
1,5 µm - 1982
1 µm - 1985
800 nm - 1989
600 nm - 1994
350 nm - 1995
250 nm - 1997
180 nm - 1999
130 nm - 2001
90 nm - 2004
65 nm - 2006
45 nm - 2008
32 nm - 2010
22 nm - 2012
14 nm - 2014
10 nm - 2016
7 nm - 2018
5 nm - 2020

90 nanômetros (90 nm) refere-se a um processo ao nível da tecnologia CMOS , que foi alcançado no período 2004-2005, pela maioria das principais empresas de semicondutores, como Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM, e TSMC.

A origem dos 90 nm tem valor histórico, pois reflete uma tendência de 70% de redimensionamento do processo de construção a cada 2-3 anos. A nomeação é formalmente determinados pelo International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).

Ainda mais significativamente,um wafer de 300mm do tamanho tornou-se o carro chefe na década dos CI's de 90 nm. Anteriormente o tamanho da bolacha era 200 mm de diâmetro.

Exemplo: Elpida 90 nm DDR2 SDRAM^[1]

Usa um wafer de 300mm de tamanho
Uso de KrF (248 nm) litografia com correção óptica de proximidade
512 Mbit
1.8 V
Derivado do anterior 110 nm e 100 nm processos

Veja também

Fotolitos

Referências

↑ Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report

Ligações externas

Precedido por:
130 nm

processos de fabricação CMOS

Sucedido por:
65 nm

[1] Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report

[1]

90 nanômetros

Exemplo: Elpida 90 nm DDR2 SDRAM[1]

Veja também

Referências

Ligações externas

Exemplo: Elpida 90 nm DDR2 SDRAM^[1]